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MA6D50 参数 Datasheet PDF下载

MA6D50图片预览
型号: MA6D50
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内容描述: 硅平面型(阴极常见) [Silicon planar type (cathode common)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MA6D50的Datasheet PDF文件第2页  
快恢复二极管( FRD )
MA3D650
硅平面型(阴极常见)
单位:mm
对于高频整流
15.0
±
0.5
9.9
±
0.3
4.6
±
0.2
I
特点
低正向上升电压V
F
快速反向恢复时间t
rr
TO- 220D (全包封装),高介电击穿
电压
& GT ;
5.0 KV
易于安装,造成它的V切引线端
φ
3.2
±
0.1
13.7
±
0.2
4.2
±
0.2
1.4
±
0.2
1.6
±
0.2
0.8
±
0.1
2.54
±
0.3
3 5.08
±
0.5
3.0
±
0.5
2.9
±
0.2
2.6
±
0.1
0.55
±
0.15
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向
浪涌电压
平均正向电流
非重复性峰值正向
浪涌电流
*
结温
储存温度
T
j
T
英镑
−40
to
+150
−40
to
+150
°C
°C
符号
V
RRM
V
RSM
I
F( AV )
I
FSM
等级
200
200
10
60
单位
V
V
A
A
1
2
1 :阳极
2 :阴极
3 :阳极
TO- 220D套餐
内部连接
1
2
3
注)* :半正弦波; 10毫秒/周期
I
电气特性
T
a
=
25°C
参数
反向重复峰值电流
符号
I
RRM1
I
RRM2
正向电压( DC)的
反向恢复时间
*
热阻
V
F
t
rr
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
注) 1.额定输入/输出频率: 10MHz的
2.拧紧力矩最大。 8千克
×
cm
3. * : t
rr
测量电路
50
50
条件
V
RRM
= 200 V,T
C
= 25°C
V
RRM
= 200 V,T
j
= 150°C
I
F
= 5 A,T
C
= 25°C
I
F
= 1 A,I
R
= 1 A
典型值
最大
100
6
0.98
30
3
63
单位
µA
mA
V
ns
° C / W
° C / W
t
rr
I
F
D.U.T
5.5
I
R
0.1
×
I
R
1