欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

UN2211 参数 Datasheet PDF下载

UN2211图片预览
型号: UN2211
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 复合晶体管NPN硅外延平面型对于开关/数字电路 [Composite Transistors, Silicon NPN epitaxial planar type For switching/digital circuits]
分类和应用: 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 82 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号UN2211的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UN2211的Datasheet PDF文件第3页  
复合晶体管
XP06211
(XP6211)
NPN硅外延平面型
(0.425)
对于开关/数字电路
0.2
±0.05
单位:mm
0.12
+0.05
–0.02
特点
两个元素合并到一个包
(晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本的
6
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
基本型号
UNR2211 ( UN2211 )
×
2
10˚
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.1
0.9
±0.1
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
150
−55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 :发射器( Tr1的)
2 :发射器( TR2)
3 :基地( TR2)
EIAJ : SC -88
0-0.1
标记符号: 7Z
内部连接
6
5
4
Tr2
Tr1
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= −2
毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 kΩ
1
2
0.9
+0.2
–0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
4 :收藏家( TR2)
5 :基地( Tr1的)
6 :收集器( Tr1的)
SMini6 -G1封装
3
50
50
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
0.1
0.5
0.5
35
0.25
4.9
0.2
−30%
0.8
10
1.0
150
+30%
1.2
V
V
V
kΩ
兆赫
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2003年6月
SJJ00206BED
0.2
±0.1
1