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UN5211 参数 Datasheet PDF下载

UN5211图片预览
型号: UN5211
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 435 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UNR521x系列
UNR521E的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0毫安0.7毫安
T
a
=
25°C
0.9毫安
0.6毫安
0.8毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
160
V
CE
=
10 V
60
I
C
/ I
B
=
10
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
(MA )
10
120
T
a
=
75°C
25°C
−25°C
40
0.3毫安0.2毫安
0.4毫安
0.5毫安
0.1毫安
30
1
T
a
=
75°C
80
20
25°C
10
−1
40
10
−25°C
10
−2
0
0
2
4
6
8
10
12
10
−1
1
10
10
2
0
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1MHz
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(µA)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
3
10
1
2
10
10
−1
1
0
10
−1
1
10
10
2
1
1.5
10
−2
10
−1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR521F的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
160
V
CE
=
10 V
240
I
C
/ I
B
=
10
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
I
B
=
1.0毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
10
正向电流传输比H
FE
200
集电极电流I
C
(MA )
120
120
1
T
a
=
75°C
T
a
=
75°C
80
25°C
−25°C
80
25°C
10
−1
40
40
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
−25°C
10
−2
10
−1
1
10
10
2
0
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00024CED
11