UNR521x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基UNR5210 / 5215 /五千二百一十七分之五千二百一十六
截止目前UNR5213
（珍藏
开）
UNR5212/5214/521D/
521E/521M/521N/521T
UNR521Z
UNR5211
UNR521F/521K
UNR5219
UNR5218/521L/521V
前锋
当前
转让
比
UNR521V
UNR5218/521K/521L
UNR5219/521D/521F
UNR5211
UNR5212/521E
UNR521Z
UNR5213/5214/521M
UNR521N/521T
UNR5210
*
/5215
*
/5216
*
/5217
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR521V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR5213/521K
UNR521D
UNR521E
跃迁频率
输入
UNR5218
f
T
R
1
V
OH
V
OL
V
CE （ SAT ）
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1.5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
6.0 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CB
=
10 V，I
E
= −2
毫安，女
=
200兆赫
−30%
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
兆赫
kΩ
4.9
0.2
V
V
h
FE
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
6
20
30
35
60
60
80
80
160
400
460
0.25
V
200
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
20
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
mA
典型值
最大
单位
V
V
µA
性UNR5219
UNR521M/521V
UNR5216/521F/521L/521N
UNR521Z
UNR5211/5214/5215/521K
UNR5212/5217/521T
UNR5210/5213/521D/521E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210〜 340
S
290〜 460
无秩
160〜 460
2
SJH00024CED
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
