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XN1215 参数 Datasheet PDF下载

XN1215图片预览
型号: XN1215
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号XN1215的Datasheet PDF文件第2页  
复合晶体管
XN1215
NPN硅外延平面晶体管
单位:mm
对于开关/数字电路
2.8
-0.3
0.65±0.15
+0.2
+0.25
1.5
-0.05
5
0.65±0.15
1
0.95
2.9
-0.05
q
q
两个元素合并到一个包中。
(发射极耦合晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
4
0.95
3
2
0.3
-0.05
0.4±0.2
0.16
-0.06
+0.1
1.1
-0.1
q
UN1215
×
2元
0.8
s
元素的基本型号
+0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
50
50
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
˚C
˚C
1 :收藏家( Tr1的)
2 :收藏家( TR2)
3 :基地( TR2)
0-0.1
为0.1〜 0.3
4 :发射器
5 :基地( Tr1的)
EIAJ : SC- 74A
迷你型PAKAGE ( 5针)
标记符号:
9M
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
*1
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
(小/大)
*1
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
f
T
R
1
条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ,R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ,R
L
= 1kΩ
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
–30%
150
10
+30%
4.9
0.2
160
0.5
0.99
0.25
V
V
V
兆赫
kΩ
50
50
0.1
0.5
0.01
460
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
2个元素之间的比例
+0.1
1.45±0.1
s
特点
1