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    XN4504 参数 Datasheet PDF下载

    XN4504图片预览
    型号： XN4504
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 89 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XN4504的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XN4504的Datasheet PDF文件第3页  
    复合晶体管
    XN04504
    (XN4504)
    NPN硅外延平面型
    对于低频输出的放大
    4
    2.90
    +0.20
    –0.05
    1.9
    ±0.1
    (0.95) (0.95)
    5
    6
    单位：mm
    0.16
    +0.10
    –0.06
    1.50
    +0.25
    –0.05
    0.30
    +0.10
    –0.05
    0.50
    +0.10
    –0.05
    10˚
    ■
    基本型号
    •
    2SD1328
    ×
    2
    1.1
    +0.2
    –0.1
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    25
    20
    12
    0.5
    1
    300
    150
    −55
    to
    +150
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    °C
    °C
    1 ：收藏家（ Tr1的）
    2 ：基地（ TR2）
    3 ：发射器（ TR2）
    EIAJ ： SC- 74
    0-0.1
    参数
    符号
    等级
    单位
    标记符号： 5X
    内部连接
    4
    5
    6
    Tr2
    1.1
    +0.3
    –0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    (0.65)
    •
    两个元素合并到一个包
    •
    由一个半减少安装面积和装配成本的
    3
    2
    1
    4 ：收藏家（ TR2）
    5 ：基地（ Tr1的）
    6 ：发射器（ Tr1的）
    Mini6 -G1封装
    Tr1
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    正向电流传输比
    *1
    *1
    3
    条件
    民
    25
    20
    12
    2
    典型值
    1
    最大
    单位
    V
    V
    V
    100
    nA
    V
    V
    兆赫
    pF
    Ω
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    R
    on
    I
    C
    =
    10
    µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    = 1
    妈，我
    B
    =
    0
    I
    E
    =
    10
    µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    =
    25 V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    =
    2 V，I
    C
    =
    0.5 A
    V
    CE
    =
    2 V，I
    C
    =
    1 A
    I
    C
    =
    0.5 A，I
    B
    = 20
    mA
    I
    C
    =
    0.5 A，I
    B
    = 50
    mA
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −50
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    200
    60
    0.13
    800
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    *1
    0.40
    1.2
    200
    10
    1.0
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    抗性
    *2
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * 1 ：脉冲测量
    1 kΩ
    *2: R
    on
    测试电路
    I
    B
    =
    1毫安
    V
    B
    V
    V
    V
    B
    ×
    1 000
    (Ω)
    V
    A
    −
    V
    B
    f
    =
    1千赫
    V
    =
    0.3 V
    V
    A
    R
    on
    =
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    SJJ00078BED
    0.4
    ±0.2
    ■
    特点
    2.8
    +0.2
    –0.3
    5˚
    出版日期： 2004年2月
    1

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