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    XN6501 参数 Datasheet PDF下载

    XN6501图片预览
    型号： XN6501
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 85 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XN6501的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XN6501的Datasheet PDF文件第3页  
    复合晶体管
    XN06501
    (XN6501)
    NPN硅外延平面型
    单位：mm
    对于一般的放大
    ■
    特点
    •
    两个元素合并到一个包
    •
    由一个半减少安装面积和装配成本的
    4
    2.90
    +0.20
    –0.05
    1.9
    ±0.1
    (0.95) (0.95)
    5
    6
    0.16
    +0.10
    –0.06
    1.50
    +0.25
    –0.05
    2.8
    +0.2
    –0.3
    3
    2
    1
    0.30
    +0.10
    –0.05
    ■
    基本型号
    •
    2SD0601A （ 2SD601A ）
    ×
    2
    0.50
    +0.10
    –0.05
    10˚
    1.1
    +0.2
    –0.1
    0.65
    ±0.15
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    60
    50
    7
    100
    200
    300
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    Tr2
    3
    1 ：收藏家（ Tr1的）
    2 ：基地（ Tr1的）
    3 ：收藏家（ TR2）
    EIAJ ： SC- 74
    0-0.1
    标记符号： 5N
    内部连接
    4
    5
    6
    1.1
    +0.3
    –0.1
    4 ：基地（ TR2）
    5 ：发射器（ TR2）
    6 ：发射器（ Tr1的）
    Mini6 -G1封装
    Tr1
    2
    1
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    正向电流传输比
    h
    FE
    比
    *
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    h
    FE （小/
    大）
    条件
    I
    C
    =
    10
    µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    =
    2毫安，我
    B
    =
    0
    I
    E
    =
    10
    µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    =
    20 V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    =
    10 V，I
    B
    =
    0
    V
    CE
    =
    10 V，I
    C
    =
    2毫安
    V
    CE
    =
    10 V，I
    C
    =
    2毫安
    I
    C
    =
    百毫安，我
    B
    =
    10毫安
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −2
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    民
    60
    50
    7
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    0.1
    100
    160
    0.50
    0.99
    0.1
    150
    3.5
    0.3
    460
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    兆赫
    pF
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ： 2个元素之间的比例
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    出版日期： 2003年8月
    SJJ00108BED
    0.4
    ±0.2
    5˚
    V
    1

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