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XP4401 参数 Datasheet PDF下载

XP4401图片预览
型号: XP4401
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内容描述: 硅NPN ( PNP )外延平面晶体管 [Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 44 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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复合晶体管
XP4401
PNP硅外延平面晶体管
单位:mm
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
对于一般的放大
2.1±0.1
0.65
q
q
两个元素合并到一个包中。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
s
特点
0.65
1
2
3
6
5
4
0.9±0.1
q
2SB709A
×
2元
0.7±0.1
0-0.1
0.2±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
等级
发射器基极电压
of
元集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
1 :发射器( Tr1的)
4 :发射器( TR2)
2 :基地( Tr1的)
5 :基地( TR2)
3 :收藏家( TR2) 6 :收藏家( Tr1的)
EIAJ : SC -88
S-迷你型包装( 6针)
标记符号:
5K
内部连接
1
Tr1
6
5
4
˚C
˚C
2
3
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
B
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
160
– 0.3
80
2.7
–60
–50
–7
– 0.1
–100
460
– 0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
0.12
–0.02
s
元素的基本型号
0.2
+0.05
1