NXP Semiconductors
1PS70SB20
Schottky barrier single diode
10. Characteristics
Table 7.
Symbol
V
F
I
R
Characteristics
Parameter
forward voltage
reverse current
Conditions
I
F
= 500 mA; T
amb
= 25 °C
V
R
= 35 V; T
amb
= 25 °C
V
R
= 35 V; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
j
= 100 °C
C
d
10
3
I
F
(mA)
10
2 (1)
(2)
Min
-
-
-
60
Typ
-
-
-
-
Max
550
100
10
90
006aac893
Unit
mV
µA
mA
pF
diode capacitance
V
R
= 0 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
mbk578
10
I
R
(mA)
1
(1)
(2)
10
(3)
10
-1
1
10
-2
(3)
10
- 1
150
250
350
450
V
F
(mV)
550
10
-3
0
10
20
30
V
R
(V)
40
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
= 85 °C
(3) T
amb
= 25 °C
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig. 2.
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
= 85 °C
(3) T
amb
= 25 °C
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
1PS70SB20
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
© NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
17 December 2012
3/9
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
