Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
1PS79SB62
handbook, halfpage
10
MGT832
10
4
handbook, halfpage
IR
(nA)
(1)
MGT833
IF
(mA)
1
10
3
10
2
(2)
10
10
−1
(2)
(1)
(3)
1
(3)
10
−2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VF (V)
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
2
10
−1
0
10
20
30
VR (V)
40
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
MGT834
handbook, halfpage
0.42
Cd
(pF)
0.38
0.34
0.30
0.26
0.22
0
10
20
30 V (V) 40
R
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2001 Jan 18
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
