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    2SC3357 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3357图片预览
    型号： 2SC3357
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD [NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
    文件页数/大小： 10 页 / 212 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第9页浏览型号2SC3357的Datasheet PDF文件第10页  
    2SC3357
    SMITH CHART
    S
    11e
    , S
    22e
    -FREQUENCY
    CONDITION : V
    CE
    = 10 V
    0
    07
    0.
    3
    4
    0.
    0
    13
    .09
    1.6
    12
    0.7
    8
    0.0 2
    0.4
    0.9
    1.0
    0.8
    1.2
    0.4
    1
    0.10
    0.40
    110
    0.11
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    0.13
    0.37
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    80
    0.15
    0.35
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    1.4
    0.1
    6
    0.3
    4
    0
    0 .6
    0.1
    0.3
    7
    3
    60
    2.0
    1.8
    0.2
    0.
    0.
    0. 06
    44
    50
    0.
    18
    32
    19
    0.
    3 1
    0.
    5
    0.
    0.0
    0.4
    5
    5
    POS
    14
    ITIV
    0
    ER
    EA
    CT
    +
    A
    –– JX
    NCE
    Z
    O
    ––
    CO
    M
    PO
    N
    T
    EN
    0.4
    0
    0.2 0
    0.3
    40
    WAVELE
    NGTH
    S
    0.02
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    0.0
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    0.48
    .47
    3
    RA
    0
    W
    FLECTION
    COEFFCIENT
    0.4
    0.0
    TOR
    6
    IN
    DE
    7
    .03
    THS
    TO
    GLE
    OF
    RE
    0
    NG
    4
    GRE
    AN
    0.4
    0.4
    ES
    0
    4
    VELE
    −
    160
    6
    0.0
    A
    W
    15
    0
    )
    (
    0
    1.
    0.01
    0.49
    S
    11e
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    0.7
    0.8
    0.9
    1.0
    1.2
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    1.8
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
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    0
    0
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    0.48
    0.01
    2
    RD
    LOAD
    0.0
    A
    0.1
    0.6
    T
    NEN
    PO
    OM
    EC
    NC
    TA
    X –
    AC
    −
    J –
    O
    RE
    ––Z
    E
    IV
    AT
    0
    0.2
    0.
    8
    S
    22e
    1.
    4.0
    50
    −
    1
    )
    f = 2.0 GHz
    3.
    0
    0.3
    (
    5
    0.4
    5
    0.0
    44
    0.
    06
    40
    0.
    −
    1
    4
    0.
    0.
    5
    2.0
    0.6
    1.8
    1.6
    0.7
    0.8
    0.9
    1.2
    1.4
    1.0
    S
    21e
    -FREQUENCY
    CONDITION : V
    CE
    = 10 V, I
    C
    = 20 mA
    90˚
    120˚
    f = 0.2 GHz
    60˚
    S
    12e
    -FREQUENCY
    CONDITION : V
    CE
    = 10 V, I
    C
    = 20 mA
    90˚
    120˚
    60˚
    f = 2.0 GHz
    150˚
    S
    21e
    30˚
    150˚
    S
    12e
    f = 2.0 GHz
    180˚
    3
    6
    9
    12 15
    f = 0.2 GHz
    0˚ 180˚
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4 0.5
    –150˚
    –30˚
    –150˚
    –120˚
    –90˚
    –60˚
    –120˚
    –90˚
    Data Sheet PU10211EJ01V0DS
    10
    f = 0.2 GHz
    0.4
    20
    f = 0.2 GHz
    50
    REACTANCE COMPONENT
    R
    ––––
    0.2
    Z
    O
    (
    )
    5.0
    0.
    32
    0.
    18
    −
    5
    0
    4
    0.3
    6
    3
    0.1
    0.3
    7
    0.1
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    −
    0.35
    0.15
    −
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    0.36
    0.14
    −
    80
    1.0
    0.8
    0.8
    0.6
    0.6
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    0.13
    0.4
    0.4
    0.2
    0.2
    −90
    0.38
    0.12
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    0.11
    −
    100
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    −
    11
    0
    0
    .41
    0.0
    0.4
    9
    0.0
    2
    20
    8
    −
    1
    NE
    G
    −
    1
    0.
    4
    0.
    3
    07
    30
    0.
    4
    0.6
    0.8
    0
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    0
    3.
    1
    0.2
    9
    0.2
    30
    0.3
    4.0
    6.0
    0.24
    0.23
    0.26
    2
    0.2
    0.27
    8
    10
    0.2
    20
    0.2
    10
    0.1
    f = 20 GHz
    20
    50
    0.25
    0.25
    0
    0.3
    0.2
    0
    0
    0.
    3
    −
    4
    0.1
    1
    0
    9
    : I
    C
    = 20 mA
    : I
    C
    = 40 mA
    0.26
    0.27
    0.24
    0
    .28
    0.23
    0
    −
    10
    0.2
    .22
    9
    −
    20
    0.2
    1
    −
    3
    0
    30˚
    0˚
    –30˚
    –60˚
    5

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