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2SK1305 参数 Datasheet PDF下载

2SK1305图片预览
型号: 2SK1305
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1305  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
20  
16  
Pulse Test  
12  
8
5 V  
VGS = 10 V  
4
0, –5 V  
1.2  
0
0.4  
0.8  
1.6  
2.0  
Source to Drain Voltage VSD (V)  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
TC = 25°C  
D = 1  
0.5  
1.0  
0.3  
0.1  
0.2  
0.1  
θch–c (t) = γS (t) • θch–c  
θch–c = 5.0°C/W, TC = 25°C  
0.05  
0.02  
PDM  
PW  
T
D =  
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
Switching Time Test Circuit  
Vin Monitor  
Waveforms  
90 %  
Vout Monitor  
RL  
Vin  
10 %  
10 %  
D.U.T  
10 %  
Vout  
50 Ω  
90 %  
d(off)  
90 %  
t
.
VDD = 30 V  
t
t
t
f
d(on)  
r
Vin = 10 V  
.
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6