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    R1RP0416DSB-2PR 参数 Datasheet PDF下载

    R1RP0416DSB-2PR图片预览
    型号： R1RP0416DSB-2PR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M高速SRAM （ 256千字×16位） [4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 100 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第9页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第10页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第11页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第13页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第14页浏览型号R1RP0416DSB-2PR的Datasheet PDF文件第15页  
    R1RP0416D Series
    Write Timing Waveform (3)
    (LB#, UB# Controlled, OE# = V
    IH
    )
    t
    WC
    Address
    t
    AW
    t
    WP
    WE#*
    3
    t
    CW
    CS#*
    3
    t
    AS
    UB# (LB#)
    t
    BW
    LB# (UB#)
    t
    DW
    D
    IN
    -UB
    (D
    IN
    -LB)
    t
    DH
    t
    BW
    Valid address
    t
    WR
    Valid data
    t
    DW
    t
    DH
    D
    IN
    -LB
    (D
    IN
    -UB)
    Valid data
    D
    OUT
    High impedance
    Rev.1.00, Mar.12.2004, page 12 of 13

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