2SB857 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB857
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内容描述：	PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 141 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SB857 ， 2SB858

典型的输出特性

–5

典型的传输特性

–5

= –4 V

–2

集电极电流I

(A)

–1.0

–0.5

–0.2

–0.1

–0.05

–0.02

–0.01

0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0 –1.2 –1.4

基极至发射极电压V

(V)

= 25°C

集电极电流I

(A)

–4

–70

–60

–50

–3

–40

–30

–2

–20

= 10毫安

= 0

–2

–4

–6

–8

–10

集电极到发射极电压V

(V)

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

1,000

直流电流传输比H

500

200

100

–0.01–0.02 –0.05–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2

集电极电流I

(A)

–4

= 75°C

–25

= –4 V

–1.4

–1.2

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

集电极到发射极饱和

电压与集电极电流

= 10 I

= 75°C

–25

–0.01–0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2

集电极电流I

(A)

–25

–1

= 75

–5

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