欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SJ162 参数 Datasheet PDF下载

2SJ162图片预览
型号: 2SJ162
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 71 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SJ162的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ162的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ162的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ162的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ162的Datasheet PDF文件第6页  
2SJ160 , 2SJ161 , 2SJ162
主要特点
功率与温度降额
150
–20
-10我最大(连续)
D
–5
(–14.3 V,
–7 A)
最高安全工作区
TA = 25°C
P沟(W)的
I
D
(A)
)
ot
sh
1
s(
)
)
m
ot
SH 5℃
10
1
2
=
S( C =
m
PW
0 N (T
10
=比
PW Ope宇宙
DC
100
散热通道
漏电流
–2
–1
–0.5
50
( -120 V, -0.83 A)
( -140 V, -0.71 A)
( -160 V, -0.63 A)
2SJ160
2SJ161
2SJ162
0
0
50
100
150
–0.2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
–500
外壳温度
TC ( ℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–9
TC = 25°C
–1.0
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
I
D
(A)
–8
–8
–7
I
D
(A)
–0.8
TC = -25°C
–0.6
25°C
–0.4
75°C
–6
漏电流
–5
–4
–4
–3
–2
PCH
=1
00 W
–1 V
漏电流
–6
–2
V
GS
= 0
–0.2
0
0
–10
–20
–30
–40
–50
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS (SAT)
(V)
漏极至源极饱和电压与
漏电流
漏极至源极电压 -
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(V)
–10
75°C
–5
25°C
–10
脉冲测试
–8
漏源极电压
–2
TC = -25°C
–1
–0.5
–6
–5 A
–4
–2 A
I
D
= –1 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–0.2
V
GD
= 0 V
–0.1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
0
漏电流
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5