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    2SJ222 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ222图片预览
    型号： 2SJ222
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    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 82 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ222
    静态漏极至源极通态电阻
    与温度的关系
    正向转移导纳| YFS | （ S）
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    1.0
    脉冲测试
    0.8
    100
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    –0.1 –0.3
    TC = 25°C
    –25°C
    正向转移导纳主场迎战
    漏电流
    0.6
    I
    D
    = –20 A
    –5 A, –10 A
    75°C
    0.4
    V
    GS
    = –4 V
    0.2
    –10 V
    0
    –40
    0
    40
    –20 A
    –5 A, –10 A
    80
    120
    160
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏电流I
    D
    (A)
    典型的电容比。
    漏源极电压
    10000
    3000
    1000
    科斯
    300
    100
    30
    10
    CRSS
    体漏二极管的反向
    恢复时间
    反向恢复时间trr （ NS ）
    5000
    3000
    1000
    300
    100
    30
    10
    5
    –0.1 –0.3
    –1
    的di / dt = 50A /
    µs
    V
    GS
    = 0 ， TA = 25℃
    –3
    –10
    –30
    –100
    电容C （PF ）
    西塞
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    0
    –10
    –20
    –30
    –40
    –50
    反向漏电流
    I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    V
    DS
    (V)
    V
    DD
    = –10 V
    –25 V
    –50 V
    V
    DD
    = –50 V
    –25 V
    –10 V
    V
    GS
    开关特性
    V
    GS
    (V)
    0
    5000
    3000
    V
    GS
    = –10 V, V
    DD
    = –30 V
    PW = 2
    µs,
    税
    ≤
    1 %
    TD （关闭）
    300
    100
    30
    10
    5
    –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    tf
    tr
    0
    –20
    –4
    开关时间t（ NS ）
    1000
    漏源极电压
    –40
    V
    DS
    –60
    –8
    –12
    栅极至源极电压
    –80
    I
    D
    = –20 A
    –100
    0
    20
    40
    60
    80
    –16
    TD （上）
    –20
    100
    栅极电荷
    QG （ NC ）
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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