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2SK1520 参数 Datasheet PDF下载

2SK1520图片预览
型号: 2SK1520
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1519 , 2SK1520
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
2SK1519
2SK1520
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
450
500
±30
30
120
30
200
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏极至源极
击穿电压
2SK1519
2SK1520
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅压漏2SK1519
当前
2SK1520
门源截止电压
静态漏源2SK1519
态电阻
2SK1520
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
450
500
±30
2.0
15
典型值
0.11
0.12
25
5800
1550
170
65
170
415
200
1.1
120
最大
±10
250
3.0
0.15
0.16
单位
V
V
µA
µA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A,V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 15 A,V
DS
= 10 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 2
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
I
F
= 30 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2006年4月27日第2页6