欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2SK3157 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3157图片预览
    型号： 2SK3157
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK3157
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    雪崩电流
    雪崩能量
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注意事项： 1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1%
    2.价值在Tc = 25
    °
    C
    3.价值在总胆固醇= 25
    °
    C， RG
    ≥
    50
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D(pulse)Note1
    I
    DR
    I
    注3 AP
    E
    AR注3
    PCH
    Note2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    150
    ±20
    20
    80
    20
    20
    30
    35
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °
    C
    °
    C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    门源漏电流
    零栅极电压漏极电流
    门源截止电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    体漏二极管的正向电压
    体漏二极管反向恢复
    时间
    注意：
    4.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    民
    150
    ±20
    —
    —
    1.0
    —
    —
    13
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    50
    60
    22
    1750
    600
    300
    18
    125
    400
    190
    0.9
    170
    最大
    —
    —
    ±10
    10
    2.5
    70
    80
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    mΩ
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    I
    G
    = ±100
    µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    = ±16 V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 150 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 1毫安， V
    DS
    = 10 V
    I
    D
    = 10 A，V
    GS
    = 10 V
    Note4
    I
    D
    = 10 A，V
    GS
    = 4 V
    Note4
    I
    D
    = 10 A，V
    DS
    = 10 V
    Note4
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    I
    D
    = 10 A，V
    GS
    = 10 V,
    R
    L
    = 3
    Ω
    I
    F
    = 20 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 20 A，V
    GS
    = 0
    di
    F
    / DT = 50 A /
    µs
    Rev.3.00 2005年9月7日第2 7

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6