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FS16UM-10 参数 Datasheet PDF下载

FS16UM-10图片预览
型号: FS16UM-10
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内容描述: 三菱N沟道功率MOSFET [MITSUBISHI Nch POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FS16UM-10
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
20
1.0
I
D
= 25A
16
T
C
= 25°C
脉冲测试
16A
8
8A
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
T
C
= 25°C
脉冲测试
0.8
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
(Ω)
V
GS
= 10V
20V
12
0.6
0.4
4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
40
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
2
7
5
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
32
24
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0 0
10
2 3
125°C
75°C
16
T
C
= 25°C
8
0
0
4
8
12
16
20
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
3
7
5
西塞
开关特性
(典型值)
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50Ω
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 0
10
2 3
科斯
10
2
7
5
CRSS
3
TCH = 25°C
2
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
10
1
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
Feb.1999