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HAT3010R 参数 Datasheet PDF下载

HAT3010R图片预览
型号: HAT3010R
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内容描述: 硅N / P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 149 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT3010R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
符号
评级
NCH
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
PCH
PCH
总胆固醇
TSTG
Note2
Note3
Note1
单位
PCH
–60
±20
–5
–40
–5
2
3
150
-55到+150
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
60
±20
6
48
6
2
3
150
-55到+150
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1 %
2. 1驾驶操作;当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW
10 s
3. 2驱动器操作;当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW
10 s
Rev.8号, 2002年8月, 14第2页