M62001L / FP到M62008L / FP
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
项
电源电压
输出灌电流
功耗
热降额
工作温度
储存温度
符号
V
CC
ISINK
Pd
Kθ
TOPR
TSTG
评级
8
5
440
4.4
-20至+75
-40到+125
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
Ta
≥
25°C
条件
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
项
电源电压
符号
V
S
民
4.30
4.05
电池电压
滞后电压
短路电流
汇能力
源的能力
V
BATT
∆V
S
I
CC
Vsat1
Vsat2
2.00
—
—
—
—
—
典型值
4.45
4.25
2.15
100
5.0
1.0
0.2
0.2
最大
4.60
4.45
2.30
—
20
4
0.4
0.4
在备份复位电平
∆V
S
= V
SH
– V
SL
V
CC
= 5.0V ：在正常模式下
V
CC
= 2.5V ：在备份模式
V
CC
= 4V ，我
O
= 4毫安
（ N沟道晶体管的输出饱和电压）
V
CC
= 4V ，我
O
= 1毫安
（ P沟道晶体管的输出饱和电压）
[ CMOS输出] M62001 ， M62003 ， M62005 ， M62007
外部电容Cd = 0.33μF
输出脉冲宽度（ M62001 ， M62002 ， M62003 ， M62004 ）
V之间的时间
CC
（下降时） = V
BATT
和输出
RESET
信号
V之间的时间
CC
（下降时） = V
S
和输出
INT
信号
单位
V
测试条件
在V级中断
CC
降
（等同于V
SL
)
M62001, M62002,
M62005, M62006,
M62003, M62004,
M62007, M62008,
mV
µA
V
延迟时间
脉冲宽度
复位输出
响应时间
中断输出
复位时间
t
d
t
pw
t
RESET
t
INT
—
—
—
—
50
7
30
100
—
10
—
—
ms
µs
µs
µs
M62001L / FP的总结M62008L / FP
型号
M62001L/FP
M62002L/FP
M62003L/FP
M62004L/FP
M62005L/FP
M62006L/FP
M62007L/FP
M62008L/FP
电源电压检测
等级V
S
(V)
4.45
4.25
4.45
4.25
电池电压检测
等级V
BATT
(V)
2.15
输出方式
CMOS
漏极开路
CMOS
漏极开路
CMOS
漏极开路
CMOS
漏极开路
保持输出
中断信号
输出模式
脉冲输出
Rev.1.00 2005年9月14日第3页9
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
