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M66256FP 参数 Datasheet PDF下载

M66256FP图片预览
型号: M66256FP
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内容描述: 5120 × 8位线存储器( FIFO) [5120 × 8-Bit Line Memory (FIFO)]
分类和应用: 存储光电二极管先进先出芯片
文件页数/大小: 14 页 / 171 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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M66256FP
绝对最大额定值
( TA = 0 〜70 ° C,除非另有说明)
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
Pd
TSTG
评级
−0.5
到+7.0
−0.5
到V
CC
+ 0.5
−0.5
到V
CC
+ 0.5
440
−65
150
单位
V
V
V
mW
°C
条件
值的基础上
GND引脚
TA = 25°C
推荐工作条件
电源电压
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
GND
TOPR
4.5
0
典型值
5
0
最大
5.5
70
单位
V
V
°C
电气特性
(大= 0 〜70 ° C,V
CC
= 5 V
±
的10% , GND = 0V)
& QUOT ; H & QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输入电压
& QUOT ; H & QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输出电压
& QUOT ; H & QUOT ;输入电流
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
2.0
V
CC
0.8
典型值
最大
0.8
0.55
1.0
单位
V
V
V
V
µA
测试条件
I
OH
=
−4
mA
I
OL
= 4毫安
V
I
= V
CC
WE , WRES ,
WCK ,
RE , RRES ,
RCK ,
D
0
到D
7
V
I
= GND
WE , WRES ,
WCK ,
RE , RRES ,
RCK ,
D
0
到D
7
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输入电流
I
IL
−1.0
µA
关机状态下"H"输出电流
关机状态下"L"输出电流
工作平均电流消耗
输入电容
关态输出电容
I
OZH
I
OZL
I
CC
C
I
C
O
5.0
−5.0
80
10
15
µA
µA
mA
pF
pF
V
O
= V
CC
V
O
= GND
V
I
= V
CC
, GND ,输出开路
t
WCK
, t
RCK
= 25纳秒
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
功能
当写使能输入
WE
是"L" ,数据输入的内容ð
0
到D
7
被写入到存储器中的同步
与写时钟输入WCK上升沿。此时,写地址计数器也同时增加。
还进行下面给出的写功能的同步与WCK的上升沿。
WE
是"H" ,一个写入操作存储器是抑制和写地址计数器被停止。
当写复位输入
WRES
是"L" ,写地址计数器初始化。
当读使能输入
RE
是"L" ,内存中的内容输出到数据输出Q
0
以Q
7
在同步
上升的读时钟输入RCK的边缘。此时,读出地址计数器也同时增加。
还进行同步下面给出的读取功能与RCK的上升沿。
RE
是"H" ,从存储器读出操作被禁止,读出地址计数器的停止。的输出是在
高阻抗状态。
当读取复位输入
RRES
是"L" ,读出地址计数器初始化。
REJ03F0250-0200 Rev.2.00 2007年9月14日
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