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R1LV0416CSB-7LI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: R1LV0416CSB-7LI
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内容描述: 宽温度范围版本4M SRAM ( 256千字× 16位) [Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 】 16-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 18 页 / 117 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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R1LV0416C -I系列
工作温度范围宽版
4M SRAM ( 256千字
×
16-bit)
REJ03C0105-0200Z
修订版2.00
May.26.2004
描述
该R1LV0416C -I是一款4 - Mbit的静态RAM举办256千字
×
16位。 R1LV0416C -I系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度,更高的性能和低功耗
技术( 6晶体管存储单元) 。该R1LV0416C -I系列提供低功耗待机功耗
散热;因此,它适合于电池备份系统。它封装在44引脚TSOP II 。
特点
采用2.5 V和3.0 V电源: 2.2 V至3.6 V
快速访问时间: 55/70 NS (最大值)
功耗:
主动: 5.0毫瓦/ MHz(典型值) (V
CC
= 2.5 V)
: 6.0毫瓦/ MHz(典型值) (V
CC
= 3.0 V)
待机: 1.25
µW
(典型值) (V
CC
= 2.5 V)
: 1.5
µW
(典型值) (V
CC
= 3.0 V)
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围:
−40
至+ 85°C
Rev.2.00 , May.26.2004 ,第16页1