[ RENESAS ] RJP4003ANS-00-Q1 Datasheet下载

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N沟道IGBT为频闪闪光灯

Nch IGBT for Strobe Flash

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RJP4009ANS-01#Q6 品牌:Renesas Electronics America

分类:
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
图片:
RJP4009ANS-01#Q6 图片
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
400V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
9V @ 2.5V,150A
功率 - 最大值
1.8W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VDFN
标准包装
3,000

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[ RENESAS ] RJP4006AGE Datasheet下载

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[ RENESAS ] RJP4007ANS Datasheet下载

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[ RENESAS ] RJP4301APP Datasheet下载

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N沟道IGBT为频闪闪光灯

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RJP4010AGE-00#P5 品牌:Renesas Electronics America

分类:
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
图片:
RJP4010AGE-00#P5 图片
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
400V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
9V @ 3V,150A
功率 - 最大值
1.6W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOJ(0.094",2.40mm 宽)
供应商器件封装
8-TSOJ
标准包装
3,000

RJP4301APP-M0#T2 品牌:Renesas Electronics America

分类:
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
图片:
RJP4301APP-M0#T2 图片
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
430V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
10V @ 26V,200A
功率 - 最大值
30W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td(开/关)值
50ns/100ns
测试条件
300V,200A,30 欧姆,26V
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FL
标准包装
1
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  • IC型号
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