[ TOSHIBA ] RN4987FE Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

东芝晶体管硅NPN · PNP外延型

TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type

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RN4987FE,LF(CB 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
图片:
RN4987FE,LF(CB 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250MHz,200MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6
标准包装
4,000
其它名称
RN4987FE(T5L,F,T) RN4987FE(T5LFT)TR RN4987FE(T5LFT)TR-ND RN4987FE,LF(CT RN4987FELF(CBTR RN4987FELF(CTTR RN4987FELF(CTTR-ND

[ TOSHIBA ] RN4987FE Datasheet下载

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TOSHIBA SEMICONDUCTOR

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描述:

东芝晶体管硅NPN · PNP外延型

TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type

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[ TOSHIBA ] RN4987FS Datasheet下载

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TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

开关,逆变电路,接口电路及驱动电路的应用

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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[ TOSHIBA ] RN4988 Datasheet下载

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TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

NPN硅外延式( PCT程序) PNP硅外延型(厘过程)

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

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[ TOSHIBA ] RN4989 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

NPN硅外延式( PCT程序) PNP硅外延型(厘过程)

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

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[ ETC ] RN4990 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| 50V V( BR ) CEO | 100MA I(C ) | TSOP\n

TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP

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[ TOSHIBA ] RN4990 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

硅NPN外延型(厘过程)

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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[ TOSHIBA ] RN4990AFS Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

开关,逆变电路,接口电路及驱动电路的应用

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN4987FE,LF(CB 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
图片:
RN4987FE,LF(CB 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250MHz,200MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6
标准包装
1
其它名称
RN4987FE(T5LFT)CT RN4987FE(T5LFT)CT-ND RN4987FELF(CBCT RN4987FELF(CTCT RN4987FELF(CTCT-ND
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

RN4987FE,LF(CB 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
图片:
RN4987FE,LF(CB 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250MHz,200MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6
标准包装
1
其它名称
RN4987FE(T5LFT)DKR RN4987FE(T5LFT)DKR-ND RN4987FELF(CBDKR RN4987FELF(CTDKR RN4987FELF(CTDKR-ND
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
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  • 东芝晶体管硅NPN · PNP外延型
    TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type

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    TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type

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