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硅P沟道MOS场效应管电源开关

Silicon P Channel MOS FET Power Switching

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RQK0607AQDQS#H1 品牌:Renesas Electronics America

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
RQK0607AQDQS#H1 图片
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
170pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
UPAK
封装/外壳
TO-243AA
标准包装
1,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

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RR01F249RTB 品牌:TE Connectivity Passive Product

分类:
通孔电阻器
图片:
RR01F249RTB 图片
制造商
TE Connectivity Passive Product
系列
RR,Neohm
包装
带盒(TB)
零件状态
在售
电阻值
249 Ohms
容差
±1%
功率(W)
1W
成分
金属薄膜
特性
阻燃涂层,脉冲耐受,安全
温度系数
±300ppm/°C
工作温度
-55°C ~ 235°C
封装/外壳
轴向
供应商器件封装
轴向
大小/尺寸
0.102" 直径 x 0.268" 长(2.60mm x 6.80mm)
高度 - 安装(最大值)
-
端子数
2
故障率
-
标准包装
5,000
其它名称
6-1879351-3 A138106TB RR01F249RTB-ND

RR01F249RTB 品牌:TE Connectivity Passive Product

分类:
通孔电阻器
图片:
RR01F249RTB 图片
制造商
TE Connectivity Passive Product
系列
RR,Neohm
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
电阻值
249 Ohms
容差
±1%
功率(W)
1W
成分
金属薄膜
特性
阻燃涂层,脉冲耐受,安全
温度系数
±300ppm/°C
工作温度
-55°C ~ 235°C
封装/外壳
轴向
供应商器件封装
轴向
大小/尺寸
0.102" 直径 x 0.268" 长(2.60mm x 6.80mm)
高度 - 安装(最大值)
-
端子数
2
故障率
-
标准包装
1
其它名称
A138106CT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • RQJ0304DQDQATL-E
  • 硅P沟道MOS场效应管电源开关
    Silicon P Channel MOS FET Power Switching

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