[ ROHM ] RSQ035P03 Datasheet下载

厂商:

ROHM

ROHM

ROHM

描述:

DC-DC转换器( -30V , -3.5A )

DC-DC Converter (−30V, −3.5A)

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RSQ035N03TR 品牌:Rohm Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
RSQ035N03TR 图片
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
62 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.4nC @ 5V
Vgs(最大值)
20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
290pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TSMT6(SC-95)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装
3,000

[ ROHM ] RSQ035P03 Datasheet下载

厂商:

ROHM

ROHM

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DC-DC转换器( -30V , -3.5A )

DC-DC Converter (−30V, −3.5A)

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[ ROHM ] RSQ045N03 Datasheet下载

厂商:

ROHM

ROHM

ROHM

描述:

4V驱动N沟道MOS FET

4V Drive Nch MOS FET

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[ ROHM ] RSQ045N03 Datasheet下载

厂商:

ROHM

ROHM

ROHM

描述:

4V驱动N沟道MOSFET

4V Drive Nch MOSFET

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[ ROHM ] RSQ045N03_07 Datasheet下载

厂商:

ROHM

ROHM

ROHM

描述:

4V驱动N沟道MOSFET

4V Drive Nch MOSFET

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[ DBLECTRO ] RSR/RS-01 Datasheet下载

厂商:

DB LECTRO INC

DBLECTRO

DB LECTRO INC

描述:

滑动型DIP开关

SLIDE TYPE DIP SWITCH

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[ DBLECTRO ] RSR/RS-02 Datasheet下载

厂商:

DB LECTRO INC

DBLECTRO

DB LECTRO INC

描述:

滑动型DIP开关

SLIDE TYPE DIP SWITCH

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[ DBLECTRO ] RSR/RS-03 Datasheet下载

厂商:

DB LECTRO INC

DBLECTRO

DB LECTRO INC

描述:

滑动型DIP开关

SLIDE TYPE DIP SWITCH

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RSQ035N03TR 品牌:Rohm Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
RSQ035N03TR 图片
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
62 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.4nC @ 5V
Vgs(最大值)
20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
290pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TSMT6(SC-95)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装
1
其它名称
RSQ035N03CT

RSQ035N03TR 品牌:Rohm Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
RSQ035N03TR 图片
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
62 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.4nC @ 5V
Vgs(最大值)
20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
290pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TSMT6(SC-95)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装
1
其它名称
RSQ035N03DKR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • RSQ035N03
  • 4V驱动N沟道MOSFET
    4V Drive Nch MOSFET

  • ROHM
  • 总3页

  • 2.
  • RSQ035N03
  • 4V驱动N沟道MOSFET
    4V Drive Nch MOSFET

  • ROHM
  • 总3页

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