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2N5632 参数 Datasheet PDF下载

2N5632图片预览
型号: 2N5632
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 112 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5632
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N5633
2N5634
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
2N5632
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5633
2N5634
I
CEV
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5632
h
FE
直流电流增益
2N5633
2N5634
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=20V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CE
= 50V ;我
B
=0
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
CE
= 70V ;我
B
=0
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
符号
2N5632 2N5633 2N5634
条件
100
120
140
典型值。
最大
单位
V
1.0
3.0
2.5
1.5
V
V
V
V
1.0
mA
V
CE
= RatedV
CB ;
V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150
V
EB
= 7V ;我
C
=0
25
20
15
1.0
1.0
5.0
1.0
100
80
60
mA
mA
兆赫
2