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    2N3866AUB_02 参数 Datasheet PDF下载

    2N3866AUB_02图片预览
    型号： 2N3866AUB_02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN晶体管 [Silicon NPN Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 234 K
    品牌： SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3866AUB_02的Datasheet PDF文件第1页  
    2N3866AUB
    硅NPN晶体管
    数据表
    电气特性
    在T规定的特性
    A
    = 25°C
    开关特性
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    首席执行官
    I
    CES1
    I
    CES2
    测试条件
    I
    C
    = 100
    µA
    I
    C
    = 5毫安
    I
    E
    = 100
    µA
    V
    CE
    = 28伏
    V
    CE
    = 55伏
    V
    CE
    = 55伏，T
    A
    = 150°C
    民
    60
    30
    3.5
    20
    100
    2
    典型值
    最大
    单位
    伏
    伏
    伏
    µA
    µA
    mA
    基本特征
    参数
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    动态特性
    参数
    震级 - 共发射极，短
    电路正向电流传输比
    开路输出电容
    收藏家EF网络效率
    电源输出
    符号
    |h
    FE
    |
    C
    敖包
    η
    1
    η
    2
    P
    1out
    P
    1out
    测试条件
    V
    CE
    = 15伏特，我
    C
    = 50毫安，
    F = 200 MHz的
    V
    CB
    = 28伏，我
    E
    = 0 mA时，
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    V
    CEsat1
    测试条件
    I
    C
    = 50 mA时， V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 360毫安， V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 50 mA时， V
    CE
    = 5伏
    T
    A
    = -55°C
    I
    C
    = 100毫安，我
    B
    = 10毫安
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    民
    25
    8
    12
    典型值
    最大
    200
    单位
    1
    伏
    民
    4
    典型值
    最大
    7.5
    3.5
    单位
    pF
    %
    V
    CC
    = 28伏， F = 400 MHz的
    P
    in
    = 0.15 W
    P
    in
    = 0.075 W
    V
    CC
    = 28伏， F = 400 MHz的
    P
    in
    = 0.15 W
    P
    in
    = 0.075 W
    45
    40
    1.0
    0.5
    2
    瓦
    Copyright 2002年
    牧师˚F
    Semicoa半导体公司
    麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
    第2页2
    www.SEMICOA.com

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