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    SW10N60 参数 Datasheet PDF下载

    SW10N60图片预览
    型号： SW10N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 795 K
    品牌： SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号SW10N60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SW10N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SW10N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SW10N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SW10N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SW10N60的Datasheet PDF文件第7页  
    SAMWIN
    图7.击穿电压变化
    - 结温
    1.2
    SW10N60
    图。 8.导通电阻变化
    - 结温
    3.0
    漏源击穿电压
    漏源导通电阻
    2.5
    BV
    DSS
    （归一化）
    R
    DS （ ON）
    （归一化）
    1.1
    2.0
    1.0
    1.5
    1.0
    * 。注意事项：
    1. V
    GS
    = 10 V
    2. I
    D
    = 5.0 A
    0.9
    * 。注意事项：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. I
    D
    = 250微安
    0.5
    0.8
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    0.0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    T
    J
    ，结温[C]
    T
    J
    ，结温[C]
    图。 9.最大漏极电流 -
    外壳温度。
    10
    图。 10.最大安全工作区
    10
    2
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    8
    10
    1
    100
    s
    1毫秒
    10毫秒
    I
    D'
    漏电流[ A]
    6
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    10
    0
    DC
    4
    10
    -1
    2
    * 。注意事项：
    o
    1. T
    C
    = 25 C
    2. T
    J
    = 150 C
    o
    0
    25
    10
    50
    75
    100
    o
    -2
    3.单脉冲
    0
    125
    150
    10
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    T
    C'
    外壳温度[C]
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    图。 11.瞬态热响应曲线
    10
    0
    Z
    ???? JC
    （T ） ，热响应
    D=0.5
    0.2
    10
    -1
    * 。注意事项：
    o
    1. Z
    ???? JC
    （ T） = 0.85 ℃/ W（最大值） 。
    2.占空比，D = T
    1
    /t
    2
    3. T
    JM
    - T
    C
    = P
    DM
    * Z
    ???? JC
    (t)
    t
    1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    t
    2
    10
    -2
    10
    -5
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    t
    1
    ，方波脉冲持续时间（秒）
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