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    SW20N50 参数 Datasheet PDF下载

    SW20N50图片预览
    型号： SW20N50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率MOSFET [N-channel Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 707 K
    品牌： SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号SW20N50的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SW20N50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SW20N50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SW20N50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SW20N50的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SW20N50的Datasheet PDF文件第7页  
    SAMWIN
    图。 1.在通态特性
    15V
    10V
    9V
    8V
    6V
    下图： 5.5V
    上图：
    SW20N50
    图。 2.传输特性
    10
    1
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    10
    1
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    25 C
    150 C
    10
    0
    o
    o
    -55 C
    * 。注意事项：
    1. 250US脉冲测试
    2. T
    C
    = 25 C
    O
    o
    * 。注意事项：
    1. V
    DS
    = 50V
    2. 250US脉冲测试
    10
    0
    10
    0
    -1
    10
    10
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图。 3.导通电阻变化对比
    漏电流和栅极电压
    2.0
    1.8
    图。 4.在目前的状态与
    二极管的正向电压
    漏源导通电阻（Ω）
    I
    DR
    ，反向漏电流[ A]
    10
    1
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    GS
    = 20V
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    ,
    10
    0
    150 C
    O
    25 C
    * 。注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2. 250US脉冲测试
    O
    * 。注：t
    J
    = 25 C
    10
    -1
    O
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图。 5.电容特性
    （不重复）
    3000
    C
    国际空间站
    =C
    gs
    +C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    =C
    ds
    +C
    gd
    图。 6.栅极电荷特性
    12
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    2500
    C
    RSS
    =C
    gd
    10
    V
    DS
    = 400V
    V
    DS
    = 250V
    电容[ pF的]
    2000
    * 。注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2， F = 1MHz的
    8
    1500
    C
    国际空间站
    1000
    6
    4
    500
    C
    OSS
    C
    RSS
    2
    * 。注：我
    D
    = 8.5 A
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    45
    50
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    G
    ，总栅极电荷[ NC ]
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