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SWF12N60 参数 Datasheet PDF下载

SWF12N60图片预览
型号: SWF12N60
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内容描述: N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 1160 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
SW12N60
图。 8.导通电阻变化
- 结温
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
* 。注意事项:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 6.0 A
0.9
* 。注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250微安
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图。 9.最大漏极电流 -
外壳温度。
14
图。 10.最大安全工作区( TO- 220F )
10
12
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
10
10
µ
s
100
µ
s
10
1
I
D
,漏电流[ A]
8
I
D
,漏电流[ A]
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
6
10
0
4
10
2
-1
注意事项:
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
T
C
,外壳温度[
]
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
,漏源电压[V]
图。 11.瞬态热响应曲线
(T )和T H的é R M一l研究(E S) P 0:N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
N 2 O TE S:
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .4 3
/ W M A X 。
2 。 ð ü TY F A C到R,D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
θ
JC
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
Z
10
-2
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S之四重W¯¯ AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
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