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    SFD60N03L 参数 Datasheet PDF下载

    SFD60N03L图片预览
    型号： SFD60N03L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 逻辑N沟道MOSFET [Logic N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 1134 K
    品牌： SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SFD60N03L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SFD60N03L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SFD60N03L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SFD60N03L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SFD60N03L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SFD60N03L的Datasheet PDF文件第7页  
    SFD60N03L
    图1.在国家特色
    V
    GS
    10.0 V
    8.0 V
    6.0 V
    5.0 V
    4.5 V
    4.0 V
    3.5 V
    底部： 3.0 V
    上图：
    如图2传输特性
    10
    2
    10
    2
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    10
    1
    150 C
    25 C
    -55 C
    o
    o
    o
    10
    1
    ※
    注意事项：
    1. 250μ s脉冲测试
    2. T
    C
    = 25
    ℃
    -1
    0
    1
    ※
    注意事项：
    1. V
    DS
    = 15V
    2. 250μ s脉冲测试
    10
    10
    10
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图3.导通电阻变化对比
    漏电流和栅极电压
    50
    图4.在国家电流与
    允许外壳温度
    10
    2
    R
    DS （ ON）
    ,
    漏源导通电阻[ mΩ的]
    V
    GS
    = 5V
    30
    V
    GS
    = 10V
    20
    I
    DR
    ，反向漏电流[ A]
    40
    10
    1
    10
    ※
    注：t
    J
    = 25
    ℃
    150
    ℃
    25
    ℃
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2. 250μ s脉冲测试
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    10
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    1.8
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图5.电容特性
    3000
    C
    国际空间站
    =C
    gs
    +C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    =C
    ds
    +C
    gd
    C
    RSS
    =C
    gd
    图6.栅极电荷特性
    12
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    2500
    10
    V
    DS
    = 15V
    V
    DS
    = 24V
    电容[ pF的]
    2000
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2， F = 1MHz的
    8
    1500
    6
    C
    国际空间站
    1000
    4
    C
    OSS
    500
    2
    ※
    注：我
    D
    = 60.0 A
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    45
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    g
    ，总栅极电荷[ NC ]
    3/7
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