[ WINSEMI ] SFP70N06 Datasheet下载

厂商:

SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD

WINSEMI

SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD

描述:

硅N沟道MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET

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SFP9530 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
SFP9530 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
300 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
38nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1035pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
66W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
1,000

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SEMIWELL SEMICONDUCTOR

SEMIWELL

SEMIWELL SEMICONDUCTOR

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N沟道MOSFET

N-Channel MOSFET

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[ ETC ] SFP70N06 Datasheet下载

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ETC

ETC

ETC

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N沟道MOSFET

N-Channel MOSFET

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ETC

ETC

ETC

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N沟道MOSFET

N-Channel MOSFET

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SEMIWELL SEMICONDUCTOR

SEMIWELL

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N沟道MOSFET

N-Channel MOSFET

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[ SEMIWELL ] SFP730D Datasheet下载

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SEMIWELL SEMICONDUCTOR

SEMIWELL

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N沟道MOSFET

N-Channel MOSFET

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[ SEMIWELL ] SFP740 Datasheet下载

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SEMIWELL SEMICONDUCTOR

SEMIWELL

SEMIWELL SEMICONDUCTOR

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N沟道MOSFET

N-Channel MOSFET

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[ WINSEMI ] SFP740 Datasheet下载

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SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD

WINSEMI

SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD

描述:

硅N沟道MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET

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SFP9540 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
SFP9540 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
200 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
54nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1535pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
132W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50

SFP9630 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
SFP9630 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
800 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
36nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
965pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
70W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • SFP70N06
  • 硅N沟道MOSFET
    Silicon N-Channel MOSFET

  • WINSEMI
  • 总7页

  • 2.
  • SFP70N06
  • N沟道MOSFET
    N-Channel MOSFET

  • SEMIWELL
  • 总7页

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