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SUD50N06-09L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD50N06-09L
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内容描述: N沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 322 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD50N06-09L
N沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
100
V
GS
= 10直通5 V
80
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
4V
60
80
100
传输特性
60
40
40
T
C
= 125_C
20
25_C
-55
_C
0
20
2 V, 3 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
120
T
C
= -55_C
100
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
g
fs
- 跨导(S )
25_C
80
125_C
60
0.012
0.015
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
0.009
V
GS
= 10 V
0.006
40
20
0.003
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
电容
4000
3500
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
8
3000
2500
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
C
RSS
10
20
30
40
50
60
C
国际空间站
10
栅极电荷
V
DS
= 30 V
I
D
= 50 A
Ç - 电容(pF )
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
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