[ VISHAY ] SI7806BDN Datasheet下载

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VISHAY TELEFUNKEN

VISHAY

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描述:

N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7806ADN-T1-E3 品牌:Vishay Siliconix

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
SI7806ADN-T1-E3 图片
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
标准包装
3,000
其它名称
SI7806ADN-T1-E3TR SI7806ADNT1E3

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N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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VISHAY TELEFUNKEN

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N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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[ SECOS ] SI7808 Datasheet下载

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SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH

SECOS

SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH

描述:

3端正电压稳压器

3-Terminal Positive Voltage Regulator

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SI7806ADN-T1-E3 品牌:Vishay Siliconix

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
SI7806ADN-T1-E3 图片
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
标准包装
1
其它名称
SI7806ADN-T1-E3CT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

SI7806ADN-T1-E3 品牌:Vishay Siliconix

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
SI7806ADN-T1-E3 图片
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
标准包装
1
其它名称
SI7806ADN-T1-E3DKR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • SI7806
  • 3端正电压稳压器
    3-Terminal Positive Voltage Regulator

  • SECOS
  • 总6页

  • 2.
  • SI7806BDN
  • N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

  • VISHAY
  • 总6页

  • 3.
  • SI7806BDN
  • N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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  • N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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  • 5.
  • SI7806BDN-T1-E3
  • N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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  • 8.
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  • N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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