Si500S
参数
条件
1.8 V选项，40个前锋， 40兆赫， CMOS
1.8 V选项， 10 pF的， 200兆赫， CMOS
2.5 V选项，40个前锋， 40兆赫， CMOS
2.5 V选项， 10 pF的， 200兆赫， CMOS
3.3 V选项，40个前锋， 40兆赫， CMOS
电源电流
3.3 V选项， 10 pF的， 200兆赫， CMOS
SSTL - 3.3 ， 200兆赫
SSTL - 2.5 ， 200兆赫
SSTL - 1.8 ， 200兆赫
停止输出， CMOS
三州
断电
输出对称性
时
0.5× V
DD
CMOS ，C
L
= 15 pF的距离测量
20〜80 ％的V
DD
SSTL
CMOS输出电压
SSTL- 1.8输出电压
SSTL- 2.5输出电压
SSTL- 3.3输出电压
通电时间
OE无效置到CLK停止
从输出驱动器返回
停止模式
从三态恢复时间
从掉电时间返回
周期抖动（ 1 -Σ ）
集成相位抖动
SSTL
1兆赫 - 0.4架F
OUT
， SSTL或CMOS
和C
L
< 7 pF的，
F
OUT
> 2.5兆赫
V
OH
，采购9毫安
V
OL
下沉9毫安
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
从时间V
DD
穿过分规范
供应
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
46 - 13纳秒/ T
CLK
—
—
V
DD
– 0.5
—
V
TT
+ 0.375
—
V
TT
+ 0.48
—
V
TT
+ 0.48
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
13.9
16.7
15.8
19.3
17.7
21.5
18.1
18.0
16.8
11.8
9.7
1.0
—
1.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
0.7
最大
16
19
18
22
20
24
20.2
19.7
18.7
13.1
10.7
1.9
54 +
13纳秒/ T
CLK
2.0
0.6
—
0.5
—
V
TT
– 0.375
—
V
TT
– 0.48
—
V
TT
– 0.48
2
250 +
3 x深
CLK
250 +
3 x深
CLK
12 + 3 x深
CLK
2
2
1.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
%
ns
ns
V
V
V
V
V
ms
ns
ns
µs
ms
ps
RMS
ps
RMS
上升和下降
注意事项：
1.
包括在25℃的初始频率精度，工作温度范围，供电电压的变化，输出负载变化，
第一年，在25 ℃下，冲击，振动，和一个焊料回流老化。
2.
包括在25℃的初始频率精度，工作温度范围，供电电压的变化，输出负载变化，
10年的在85℃下，冲击，振动，和一个焊料回流老化。
3.
请参阅“ AN409 ：为Si500S和Si500D硅振荡器输出端接选项” ，了解有关更多详细信息
输出时钟终止建议。
4.
V
TT
= 0.5 x垂直
DD
.
5.
V
TT
= 0.45 x垂直
DD
.
2
修订版1.1
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
