Si500S
S
炉火
- E
NDED
O
安输出
S
ILICON
O
S·C I L L A T O服务ř
特点
石英免费， MEMS ，无和PLL -免费全硅振荡器
任意输出频率从0.9至200兆赫
交货周期短
出色的温度稳定性（ ± 20 PPM ）
高度可靠的启动和运行
抗干扰能力强冲击和振动
低抖动： <1.5的ps RMS
0至85°C的操作，包括10年的老龄化热
环境
足迹与业界兼容
标准的3.2× 5.0毫米的XO
提供CMOS和SSTL版本
司机停下，三态，或断电
手术
符合RoHS
1.8 ， 2.5或3.3 V选项
低功耗
超过10倍更合适的速度比
竞争Crystal解决方案
特定网络阳离子
参数
频带
温度稳定性，
0至+ 70°C
温度稳定性，
0 〜+ 85℃
总的稳定性，
0至+ 70°C操作
总的稳定性，
0至+85°C操作
工作温度
储存温度
1.8 V选项
电源电压
2.5 V选项
3.3 V选项
广告
扩展商业
条件
民
0.9
—
—
—
—
0
0
–55
1.71
2.25
2.97
典型值
—
±10
±20
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
200
—
—
±150
±250
70
85
+125
1.98
2.75
3.63
单位
兆赫
PPM
PPM
PPM
PPM
°C
°C
°C
V
V
V
频率稳定度
注意事项：
1.
包括在25℃的初始频率精度，工作温度范围，供电电压的变化，输出负载变化，
第一年，在25 ℃下，冲击，振动，和一个焊料回流老化。
2.
包括在25℃的初始频率精度，工作温度范围，供电电压的变化，输出负载变化，
10年的在85℃下，冲击，振动，和一个焊料回流老化。
3.
请参阅“ AN409 ：为Si500S和Si500D硅振荡器输出端接选项” ，了解有关更多详细信息
输出时钟终止建议。
4.
V
TT
= 0.5 x垂直
DD
.
5.
V
TT
= 0.45 x垂直
DD
.
修订版1.1 10/11
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Si500S
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