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    SSF4604 参数 Datasheet PDF下载

    SSF4604图片预览
    型号： SSF4604
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高功率和电流移交能力 [High Power and current handing capability]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 394 K
    品牌： SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]
     浏览型号SSF4604的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SSF4604的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSF4604的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSF4604的Datasheet PDF文件第5页  
    SSF4604
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流
    基本特征（注3 ）
    栅极阈值电压
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250μA
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =-250μA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =6.9A
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-5.0A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =5A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-4A
    正向跨导
    动力参数
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    C
    LSS
    C
    OSS
    C
    RSS
    N沟道
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = 15V ， F = 1MHz的
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS
    = 0V我
    D
    =250μA
    V
    GS
    = 0V我
    D
    =-250μA
    V
    DS
    =24V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-24V,V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V,V
    DS
    =0V
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    30
    -30
    1
    -1
    ±100
    ±100
    1
    -1
    1.9
    -1.8
    22.5
    46
    40
    65
    10
    6
    15.4
    8.6
    680
    700
    100
    120
    77
    75
    4.6
    8.3
    4.1
    5
    20.6
    29
    5.2
    14
    14
    14.5
    1.8
    2
    3.2
    3.8
    3
    -3
    28
    52
    44
    87
    V
    μA
    nA
    V
    mΩ
    g
    FS
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =6.9A
    V
    DS
    =-5V,I
    D
    =-5A
    S
    pF
    P沟道
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = -15V ， F = 1MHz的
    开关特性（注4 ）
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    P沟道
    V
    DD
    = -15V ，R
    L
    =3Ω
    V
    根
    =-10V,R
    根
    =3Ω
    N沟道
    V
    DD
    = 15V ，R
    L
    =2.2Ω
    V
    根
    =10V,R
    根
    =3Ω
    nS
    nS
    nS
    nS
    nC
    nC
    N沟道
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =6.9A,
    V
    GS
    =10V
    P沟道
    V
    DS
    =-15V,I
    D
    =-5A,
    V
    GS
    =-10V
    栅极 - 漏极电荷
    Q
    gd
    nC
    © Silikron半导体有限公司。
    2
    http://www.silikron.com
    v1.0

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