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S3PDB18N06P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: S3PDB18N06P
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内容描述: [Three Phase Bridge Rectifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 238 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号S3PDB18N06P的Datasheet PDF文件第1页  
S3PDB18  
Three Phase Bridge Rectifiers  
160  
1000  
A2s  
VR = 0 V  
A
A
140  
T
VJ = 25 o C  
22  
120  
100  
80  
60  
40  
0
IF  
IFSM  
20  
18  
16  
f
= 50 Hz  
I2t  
VR = 0. 8V  
RRM  
TVJ = 45 o C  
14  
12  
10  
TVJ = 125 o C  
TVJ=125 o C  
TVJ = 125oC  
TVJ= 25 o C  
1. 0 1. 5  
0
0. 0  
100  
0. 001  
0. 01  
0. 1  
t
s
1
ms  
t
0. 5  
2. 0  
V
1
10  
VF  
Fig.1 Forward current versus  
voltage drop per diode  
Fig. 2 Surge overload current  
Fig. 3 I2t versus time per diode  
120  
50  
A
RthHA [K/W]  
110  
100  
0.4  
1
2
40  
W
Id( AV) M  
5
10  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Pt ot  
30  
20  
10  
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 A0  
Id( AV) M  
30  
60  
90  
TA  
120  
150 oC180  
oC  
0
40  
80  
120  
160  
TH  
Fig. 4 Power dissipation versus direct output current  
and ambient tempreature, sine180  
Fig. 5 Max. forward current  
vs. case temperature  
5
K/W  
4
Constantsfor ZthJC calculation:  
Z
t hJC  
i
Rthi (K/W)  
t (s)  
i
1
2
3
4
0.302  
1.252  
1.582  
1.164  
0.002  
0.032  
0.227  
0.82  
3
2
1
0
0. 001  
0. 01  
0. 1  
1
10 s  
t
Fig. 6 Transient the rmal impedance junction to case  
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P2  
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