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MBR3060CT 参数 Datasheet PDF下载

MBR3060CT图片预览
型号: MBR3060CT
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内容描述: 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管,高结温低漏电流肖特基势垒二极管高TJM低IRRM肖特基势垒二极管, TJ = -65 ° C〜 175 ° C, TJM = 175 ℃。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes,高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes,Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。]
分类和应用: 二极管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 133 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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MBR3060CT
肖特基整流器器
尺寸TO- 262
A
C
A
MBR3060CT
V
RRM
V
60
V
RMS
V
42
V
DC
V
60
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
V
F
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=105
o
C
最大额定值
30
260
10000
I
F
=15A
I
F
=30A
I
F
=15A
I
F
=30A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
o
@T
J
=125 C
o
@T
J
=125 C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.62
0.82
0.56
0.71
0.80
45
3.25
720
-55到+150
-55到+150
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
典型结电容每元(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
thJC
C
T
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意