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NEW MBR20200CT 参数 Datasheet PDF下载

NEW  MBR20200CT图片预览
型号: NEW MBR20200CT
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内容描述: 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管,高结温低漏电流肖特基势垒二极管高TJM低IRRM肖特基势垒二极管, TJ = -65 ° C〜 175 ° C, TJM = 175 ℃。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes,高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes,Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 193 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号NEW  MBR20200CT的Datasheet PDF文件第2页  
MBR20150CT通MBR20200CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.38
0.56
2.29
2.79
英寸
分钟。马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.015 0.022
0.090 0.110
C( TAB )
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RSM
V
150
200
V
RRM
V
150
200
测试条件
T
C
= 125 ℃;矩形的峰,d = 0.5
T
C
=125
o
℃;矩形的峰,d = 0.5;每个器件
T
VJ
=45
o
℃;吨
p
= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
V
A
=1.5
.
V
RRM
(典型值) ; F = 10kHz的;重复
o
MBR20150CT
MBR20200CT
符号
I
疲劳风险管理
I
FAV
I
FAV
I
FSM
I
AR
( dv / dt的)
cr
T
VJ
T
VJM
T
英镑
M
d
重量
最大额定值
20
10
20
150
0.8
10000
-65...+150
150
-65...+175
单位
A
A
A
V /美
o
C
安装力矩
典型
0.4...0.6
2
Nm
g
符号
T
VJ
=25
o
℃; V
R
=V
RRM
T
VJ
=125
o
℃; V
R
=V
RRM
I
F
= 10A ;牛逼
VJ
=125
o
C
I
F
= 10A ;牛逼
VJ
=25
o
C
I
F
= 20A ;吨
VJ
=125
o
C
I
F
= 20A ;吨
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
典型值。
马克斯。
1.0
50
0.80
0.90
0.90
1.00
2.0
单位
I
R
mA
V
F
V
R
thJC
K / W
特点
*国际标准套餐
*非常低V
F
*极低的开关损耗
*我低
RM
- 值
应用
*在开关模式电源整流器
电源(SMPS )
*低电压单向二极管
转换器
优势
*高可靠性的电路操作
*低电压的峰值减少
保护电路
*低噪音切换
*低损失