[ STMICROELECTRONICS ] STB200N4F3 Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

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描述:

N沟道40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO- 220平面STripFET⑩功率MOSFET

N-channel 40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO-220 planar STripFET⑩ Power MOSFET

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STB200N4F3 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STB200N4F3 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
75nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装
1,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

[ STMICROELECTRONICS ] STB200NF03 Datasheet下载

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描述:

N沟道30V - 0.0032欧姆 - 120A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET

N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STB200NF03 Datasheet下载

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描述:

N沟道30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET

N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STB200NF03_07 Datasheet下载

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描述:

N沟道30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET

N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STB200NF03-1 Datasheet下载

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N沟道30V - 0.0032欧姆 - 120A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET

N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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描述:

N沟道30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET

N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STB200NF03T4 Datasheet下载

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N沟道30V - 0.0032欧姆 - 120A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET

N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STB200NF03T4 Datasheet下载

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描述:

N沟道30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET

N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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STB200N6F3 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STB200N6F3 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.6 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
330W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装
1,000
其它名称
497-10025-2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

STB200N6F3 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STB200N6F3 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
剪切带(CT)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.6 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
330W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装
1
其它名称
497-10025-1
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • STB200N4F3
  • N沟道40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO- 220平面STripFET⑩功率MOSFET
    N-channel 40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO-220 planar STripFET⑩ Power MOSFET

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