[ STMICROELECTRONICS ] STF18N55M5 Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道550 V, 0.18 I© , 13 A, MDmeshâ ?? ¢在D²PAK , DPAK V功率MOSFET , TO- 220FP和TO -220

N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220

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STF18N55M5 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STF18N55M5 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ V
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
550V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
192 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
31nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1260pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
25W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50
其它名称
497-11324-5
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

[ STMICROELECTRONICS ] STF18NM60N Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道600 V , 13 A, TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK第二代的MDmesh ™功率MOSFET

N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STF18NM60N Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道600 V , 0.26 I©典型值, 13的MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET的D2PAK , TO- 220FP , TO- 220和TO- 247

N-channel 600 V, 0.26 Ω typ., 13 A MDmesh™ II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247

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[ STMICROELECTRONICS ] STF18NM80 Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道800 V , 0.25 I© , 17 A, MDmes功率MOSFET

N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmes Power MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STF19NF20 Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道200V - 0.15ヘ​​ - 15A - TO- 220 - D2PAK - TO- 220FP MESH OVERLAY⑩功率MOSFET

N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STF19NM50N Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道500 V, 0.2欧姆, 14一个的MDmesh II功率MOSFET采用TO- 220FP , TO- 220和TO- 247

N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247

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[ STMICROELECTRONICS ] STF19NM65N Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET

N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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[ PREMO ] STF-200HV Datasheet下载

厂商:

PREMO CORPORATION S.L

PREMO

PREMO CORPORATION S.L

描述:

三相+中性过滤器,太阳能技术应用

Three Phase+Neutral Filters For Solar Technology Applications

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STF18N60DM2 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STF18N60DM2 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ DM2
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
295 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
800pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
1,000

STF18N60M2 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STF18N60M2 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II Plus
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
21.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
791pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50
其它名称
497-13947-5 STF18N60M2-ND
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • STF18N55M5
  • N沟道550 V, 0.18 I© , 13 A, MDmeshâ ?? ¢在D²PAK , DPAK V功率MOSFET , TO- 220FP和TO -220
    N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220

  • STMICROELECTRONICS
  • 总22页

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