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ST2305 参数 Datasheet PDF下载

ST2305图片预览
型号: ST2305
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内容描述: P沟道阳城模式MOSFET [P Channel Enchancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 97 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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P沟道阳城模式MOSFET
-3.5A
ST2305
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
符号
条件
最小典型最大单位
-10
-1.5
V
V
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
V
DS
=V
GS
,I
D
= -250uA -0.45
V
DS
=0V,V
GS
=+/-12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55
V
DS
-5V,V
GS
=-4.5V
V
DS
-5V,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.5A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.0A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-2.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-3.5V
I
S
=-1.6A,V
GS
=0V
V
DS
=-10V,V
GS
=-4.5V
I
D
-3.5A
V
DS
=-10V,V
GS
=0V
F=1MHz
100 nA的
-1
-10
-6
-3
uA
A
0.045 0.05
0.55 0.07
Ω
0.09 0.105
8.5
S
-0.8 -1.2
10
2
2
1200
300
210
13
20
42
20
12
nC
V
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
西塞
科斯
CRSS
pF
25
35纳秒
70
35
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-10V,R
L
=6
Ω
I
D
=-1.0A,V
=-4.5V
R
G
=6
Ω
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
电话: ( 650 ) 9389294传真: ( 650 ) 9389295
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