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ST9402 参数 Datasheet PDF下载

ST9402图片预览
型号: ST9402
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 197 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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N沟道增强型MOSFET
ST9402
3.6A
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小典型最大单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
= VGS ,我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55
V
DS
5V,V
GS
=4.5V
V
DS
5V,V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.1A
V
DS
=5V,I
D
=3.6V
I
S
=1.6A,V
GS
=0V
20
0.4
1.2
±
100
1
10
6
4
0.075 0.085
0.080 0.090
V
V
nA
uA
A
Ω
S
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
10
0.85
1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
3.6A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=10V
R
L
=5.5
Ω
I
D
=3.6A
V
=4.5V
R
G
=6
Ω
5.4
0.65
1.4
340
115
33
12
36
34
10
10
nC
pF
25
60
60
25
nS
t
D(关闭)
tf
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
ST9402 2005 V1