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M29W200BT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W200BT70N6E图片预览
型号: M29W200BT70N6E
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内容描述: 2兆位( 256Kb的X8或X16 128KB ,引导块)低压单电源闪存 [2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 22 页 / 506 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M29W200BT
M29W200BB
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
ACCESS TIME: 55ns
PROGRAMMING TIME
– 10µs per Byte/Word typical
7 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 4 Main Blocks
1
44
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte/Word Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
– Ready/Busy Output Pin
TSOP48 (N)
12 x 20mm
SO44 (M)
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
Figure 1. Logic Diagram
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
17
A0-A16
W
E
G
RP
M29W200BT
M29W200BB
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
BYTE
RB
VCC
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29W200BT: 0051h
– Bottom Device Code: M29W200BB 0057h
ECOPACK
®
PACKAGES AVAILABLE
VSS
AI02948
September 2005
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