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STD110NH02LT4 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STD110NH02LT4
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内容描述: N沟道24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK封装的STripFET TM III功率MOSFET [N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 15 页 / 463 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STD110NH02L
Electrical characteristics
Table 5.
Symbol
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Switching times
Parameter
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Test conditions
V
DD
= 10V, I
D
= 40A,
R
G
= 4.7Ω, V
GS
= 10V
Min.
Typ.
14
224
69
40
Max.
Unit
ns
ns
ns
ns
54
Table 6.
Symbol
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Source drain diode
Parameter
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
Forward on voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 40A, V
GS
= 0
I
SD
= 80A,
di/dt = 100A/µs,
V
DD
= 15V, T
J
= 150°C
47
58
2.5
Test conditions
Min
Typ.
Max
80
320
1.3
Unit
A
A
V
ns
µC
A
1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5%
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