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IRF520图片预览
型号: IRF520
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内容描述: N - 沟道增强型功率MOS晶体管 [N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 184 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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IRF520
IRF520FI
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
IRF520
IRF520FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
R
DS ( ON)
< 0.27
< 0.27
I
D
10 A
7A
典型ř
DS ( ON)
= 0.23
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
TO-220
3
1
2
1
2
3
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制,音频放大器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
ISOWATT220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
ð S
V
DG ř
V
GS
I
D
I
D
I
D M
(•)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
IRF520
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流(续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
10
7
40
70
0.47
-65〜 175
175
100
100
±
20
7
5
40
35
0.23
2000
价值
IRF520FI
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
单位
C
C
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
1993年6月
1/9