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M25P64-VMF6TP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P64-VMF6TP
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内容描述: 64兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 [64 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 38 页 / 521 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P64
操作特性
网页编程
要设置一个数据字节,两个指令都重
quired :写使能( WREN ),这是一个字节,
和一个页编程(PP)的序列,其中CON组
的4个字节加上数据sists 。这之后是
内部编程周期的持续时间T (
PP
).
为了传播这种开销,页面编程( PP)
指令允许多达256个字节为亲
编程的时间(改变位从1变为0 ) ,亲
vided ,他们躺在连续的地址上
内存的同一个页面。
扇区擦除和整体擦除
页面编程( PP )指令允许位
可以从1重置为0。在此之前,可以应用的
内存字节需要被擦除所有
1秒( FFH ) 。这可以在一个实现一个扇区
时间,使用的扇区擦除指令(SE) ,或
在整个存储器中,使用大容量
擦除( BE )的指令。这将启动一个内部
擦除周期的持续时间T (
SE
或T
BE
).
ERASE指令前必须有一个写
使能(WREN )指令。
投票在写,编程或擦除周期
在写状态时的进一步改进
寄存器( WRSR ) ,计划( PP )或删除(或SE
BE ),可以通过不等待最坏的实现
延迟的情况下(T
W
, t
PP
, t
SE
或T
BE
) 。写在
制品(WIP )位在状态提供雷吉斯 -
器,以使应用程序可以监视其
值,轮询它建立在前面的
写周期,项目周期或擦除周期的COM
完整的。
有源电源和备用电源模式
当片选(S )为低电平时,器件的选择 -
ED ,并在有源模式。
当片选(S )为高,该设备是dese-
lected ,但可以留在有源模式
直到所有的内部时钟周期完成(计划,
擦除,写状态寄存器) 。然后设备
去到备用电源模式。该装置
消耗下降至我
CC1
.
状态寄存器
状态寄存器包含了一些状态
并且,可以读取或设置(如appro-控制位
priate )通过具体的指示。
WIP位。
写在制品(WIP )位指示
内存是否忙于写状态
注册,编程或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器( WEL )位indi-
凯茨内部写状态使能锁存器。
BP2 , BP1 , BP0位。
块保护( BP2 ,
BP1 , BP0 )位是非易失性的。它们定义
该区域的大小可以软件保护,以防止
编程和擦除指令。
SRWD位。
状态寄存器写禁止
( SRWD )位被设置在与配合操作
写保护( W)信号。状态寄存器
写禁止( SRWD )位和写保护( W)
信号允许该设备被放置在硬件
保护模式。在这种模式中,非挥发性的位
的状态寄存器( SRWD , BP2 , BP1 , BP0 )
变为只读位。
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